SI1422DH-T1-GE3
رقم القطعة:
SI1422DH-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18277 Pieces
ورقة البيانات:
SI1422DH-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1422DH-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1422DH-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI1422DH-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-6 (SOT-363)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:26 mOhm @ 5.1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:SI1422DH-T1-GE3TR
SI1422DHT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI1422DH-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:725pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 8V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 12V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:sales@bychips.com

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات
Loading...