يشترى SI1563EDH-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI1563EDH-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI1563EDH-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16534 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI1563EDH-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1563EDH-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1563EDH-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-70-6 (SOT-363) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 570mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI1563EDH-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.13A, 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.13A, 880mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI1563EDH-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1563DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | تحقيق |
 |
BSC150N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON | تحقيق |
 |
SH8M24TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8 | تحقيق |
 |
AON7804 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN | تحقيق |
|
SI1563EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | تحقيق |
|
SI1563DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | تحقيق |
 |
SI7501DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 | تحقيق |
 |
PMDT290UCE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | تحقيق |
 |
APTC60DDAM70T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | تحقيق |
 |
IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 | تحقيق |
 |
DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | تحقيق |
 |
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog