SI1913DH-T1-E3
رقم القطعة:
SI1913DH-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13316 Pieces
ورقة البيانات:
SI1913DH-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1913DH-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1913DH-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI1913DH-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 100µA
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-6 (SOT-363)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:490 mOhm @ 880mA, 4.5V
السلطة - ماكس:570mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:SI1913DH-T1-E3TR
SI1913DHT1E3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI1913DH-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.8nC @ 4.5V
نوع FET:2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:880mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات