SI2304BDS-T1-GE3
رقم القطعة:
SI2304BDS-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19861 Pieces
ورقة البيانات:
SI2304BDS-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI2304BDS-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI2304BDS-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI2304BDS-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:70 mOhm @ 2.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):750mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SI2304BDS-T1-GE3TR
SI2304BDST1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI2304BDS-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:225pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:4nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات