يشترى SI2308BDS-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 156 mOhm @ 1.9A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
اسماء اخرى: | SI2308BDS-T1-GE3TR SI2308BDST1GE3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI2308BDS-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 190pF @ 30V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.8nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 60V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
وصف: | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |