SI2311DS-T1-E3
رقم القطعة:
SI2311DS-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15914 Pieces
ورقة البيانات:
SI2311DS-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI2311DS-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI2311DS-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI2311DS-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:800mV @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):710mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI2311DS-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:970pF @ 4V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 8V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):8V
وصف:MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات