يشترى SI3424DV-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI3424DV-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI3424DV-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13965 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI3424DV-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3424DV-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3424DV-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 800mV @ 250µA (Min) |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 28 mOhm @ 6.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.14W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | SI3424DV-T1-E3DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI3424DV-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 5A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI3424DV-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN023-40YLCX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK | تحقيق |
 |
SFT1345-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 11A TP-FA | تحقيق |
 |
PHP222NQ04LT,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
SI3421DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 | تحقيق |
 |
BSC026N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON | تحقيق |
 |
NVTFS5824NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A U8FL | تحقيق |
|
SI3424BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP | تحقيق |
|
SI3424DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP | تحقيق |
|
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S | تحقيق |
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP | تحقيق |
 |
STI33N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK | تحقيق |
 |
SQD50N05-11L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 50A TO252 | تحقيق |
|
SI3424BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP | تحقيق |
 |
IRFI1310N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP | تحقيق |
 |
IXFR32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog