يشترى SI3460DDV-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±8V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
اسماء اخرى: | SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI3460DDV-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 666pF @ 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18nC @ 8V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |