يشترى SI3590DV-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI3590DV-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI3590DV-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16323 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI3590DV-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3590DV-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3590DV-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 830mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | SI3590DV-T1-E3TR SI3590DVT1E3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI3590DV-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.5A, 1.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI3590DV-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3590DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP | تحقيق |
 |
FDS6890A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI7909DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | تحقيق |
 |
DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | تحقيق |
 |
SI4562DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | تحقيق |
 |
PMWD19UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | تحقيق |
 |
XP0187800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog