SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3
رقم القطعة:
SI3590DV-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16323 Pieces
ورقة البيانات:
SI3590DV-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3590DV-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3590DV-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI3590DV-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:6-TSOP
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:77 mOhm @ 3A, 4.5V
السلطة - ماكس:830mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:SI3590DV-T1-E3TR
SI3590DVT1E3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI3590DV-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:4.5nC @ 4.5V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.5A, 1.7A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات