يشترى SI3850ADV-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI3850ADV-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI3850ADV-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17751 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI3850ADV-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3850ADV-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3850ADV-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 300 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.08W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | SI3850ADV-T1-E3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI3850ADV-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.4nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.4A, 960mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI3850ADV-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI6967DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP | تحقيق |
 |
SLA5061 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP | تحقيق |
 |
SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP | تحقيق |
 |
EFC6605R-V-TR | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA | تحقيق |
|
SI3851DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP | تحقيق |
|
SI3853DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | تحقيق |
|
SI3853DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | تحقيق |
 |
RJM0306JSP-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP | تحقيق |
 |
CSD83325L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog