SI3932DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI3932DV-T1-GE3

SI3932DV-T1-GE3

رقم القطعة:: SI3932DV-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19064 Pieces

ورقة البيانات:: SI3932DV-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3932DV-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3932DV-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI3932DV-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	6-TSOP
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	58 mOhm @ 3.4A, 10V
السلطة - ماكس:	1.4W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
اسماء اخرى:	SI3932DV-T1-GE3TR SI3932DVT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI3932DV-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	235pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	6nC @ 10V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	3.7A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI3932DV-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
IRF9910PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	تحقيق
SH8K5TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8	تحقيق
ALD110902SAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC	تحقيق
VMM45-02F	IXYS	MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA	تحقيق
VMM1500-0075P	IXYS	MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI	تحقيق
FDMA3028N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET	تحقيق
APTM100A13DG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6	تحقيق
SI4952DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC	تحقيق
IRF7754GTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP	تحقيق
APTM50DHM65TG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4	تحقيق
ECH8651R-TL-HX	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8	تحقيق
AON6908A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN	تحقيق
IRF9953TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار