يشترى SI3948DV-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI3948DV-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI3948DV-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13694 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI3948DV-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3948DV-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3948DV-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.15W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI3948DV-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.2nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI3948DV-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | تحقيق |
 |
SI4834BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMC3035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
SI3948DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | تحقيق |
 |
SLA5201 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP | تحقيق |
 |
APTC60TAM24TPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P | تحقيق |
 |
APTC80H29SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | تحقيق |
 |
SI5944DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK | تحقيق |
 |
US6M1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 | تحقيق |
 |
ALD114904SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
 |
BUK7K18-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK | تحقيق |
 |
AON7810 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog