العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SI4420DYTRPBF
SI4420DYTRPBF
SI4420DYTRPBF
رقم القطعة:
SI4420DYTRPBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15450 Pieces
ورقة البيانات:
SI4420DYTRPBF.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4420DYTRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4420DYTRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI4420DYTRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9 mOhm @ 12.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4420DYPBFTR
SI4420DYTRPBF-ND
SI4420DYTRPBFTR-ND
SP001567504
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI4420DYTRPBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2240pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:78nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12.5A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSI4420DYTRPBF

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE تحقيق
IXFH26N50P3 Image IXFH26N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 تحقيق
SI4420DYPBF Image SI4420DYPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC تحقيق
SI4420DY Image SI4420DY Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC تحقيق
SI3457DV Image SI3457DV Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 تحقيق
BUK969R3-100E,118 Image BUK969R3-100E,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK تحقيق
IRF840SPBF Image IRF840SPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK تحقيق
SI4420DYTR Image SI4420DYTR Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC تحقيق
IXTA110N055T Image IXTA110N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 تحقيق
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC تحقيق
FQI8N60CTU Image FQI8N60CTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK تحقيق
IXFE80N50 Image IXFE80N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B تحقيق
IPA60R600E6XKSA1 Image IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 تحقيق
IRFZ48ZSPBF Image IRFZ48ZSPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK تحقيق
SI7174DP-T1-GE3 Image SI7174DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 تحقيق
SPP04N80C3 Image SPP04N80C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB تحقيق
SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC تحقيق

Latest الأخبار