SI4472DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4472DY-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18519 Pieces
ورقة البيانات:
SI4472DY-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4472DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4472DY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI4472DY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4472DY-T1-GE3TR
SI4472DYT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI4472DY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1735pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:43nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 150V 7.7A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):8V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف:MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7.7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات