يشترى SI4500BDY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
السلطة - ماكس: | 1.3W |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
اسماء اخرى: | SI4500BDY-T1-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI4500BDY-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 4.5V |
نوع FET: | N and P-Channel, Common Drain |
FET الميزة: | Logic Level Gate |
وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.6A, 3.8A |
Email: | [email protected] |