SI4511DY-T1-E3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

رقم القطعة:: SI4511DY-T1-E3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19664 Pieces

ورقة البيانات:: SI4511DY-T1-E3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4511DY-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4511DY-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI4511DY-T1-E3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1.8V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
السلطة - ماكس:	1.1W
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	SI4511DY-T1-E3DKR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI4511DY-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	18nC @ 4.5V
نوع FET:	N and P-Channel
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	7.2A, 4.6A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI4511DY-T1-E3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NTMD2P01R2G	ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC	تحقيق
SI4511DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC	تحقيق
VEC2616-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8	تحقيق
SI5980DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET	تحقيق
UPA2672T1R-E2-AX	Renesas Electronics America	MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON	تحقيق
NDS9948	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC	تحقيق
FDC6302P	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6	تحقيق
DMS3017SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO	تحقيق
FMM75-01F	IXYS	MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5	تحقيق
PHKD13N03LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC	تحقيق
SI4923DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC	تحقيق
NTUD3170NZT5G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963	تحقيق
SI1024X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6	تحقيق
EPC2103ENGRT	EPC	TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V	تحقيق
SI4830ADY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC	تحقيق
NTMD4N03R2G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC	تحقيق
MP6M11TCR	Rohm Semiconductor	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6	تحقيق
CSD87312Q3E	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار