يشترى SI4564DY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
---|---|
تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17.5 mOhm @ 8A, 10V |
السلطة - ماكس: | 3.1W, 3.2W |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
اسماء اخرى: | SI4564DY-T1-GE3TR SI4564DYT1GE3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI4564DY-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 855pF @ 20V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 31nC @ 10V |
نوع FET: | N and P-Channel |
FET الميزة: | Logic Level Gate |
وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
وصف: | MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A, 9.2A |
Email: | [email protected] |