يشترى SI4686DY-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI4686DY-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI4686DY-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13243 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI4686DY-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4686DY-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4686DY-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3W (Ta), 5.2W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | SI4686DY-T1-E3TR SI4686DYT1E3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI4686DY-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1220pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 26nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 18.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI4686DY-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4686DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
RSS070N05FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
EPC2034ENGR | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
CSD19534KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | تحقيق |
 |
IRFU320PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK | تحقيق |
|
SI4682DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI4684DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI4682DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | تحقيق |
 |
SFM9110TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 | تحقيق |
 |
IXTT48P20P | IXYS | MOSFET P-CH 200V 48A TO-268 | تحقيق |
 |
NTMFS4946NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SO-8FL | تحقيق |
|
SI4684DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFIBE20GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP | تحقيق |
|
SI4688DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFQ12N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P | تحقيق |
 |
IRLR8729TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK | تحقيق |
|
SI4688DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog