SI4829DY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4829DY-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15928 Pieces
ورقة البيانات:
SI4829DY-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4829DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4829DY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI4829DY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:LITTLE FOOT®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Ta), 3.1W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4829DY-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI4829DY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:210pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:P-Channel 20V 2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات