SI4908DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

رقم القطعة:: SI4908DY-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14361 Pieces

ورقة البيانات:: SI4908DY-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4908DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4908DY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI4908DY-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	60 mOhm @ 4.1A, 10V
السلطة - ماكس:	2.75W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI4908DY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	355pF @ 20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	12nC @ 10V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Standard
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5A 2.75W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	40V
وصف:	MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	5A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI4908DY-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
IRF8513PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC	تحقيق
SI4904DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC	تحقيق
CSD75204W15	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA	تحقيق
SIA922EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6	تحقيق
SI4908DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC	تحقيق
SI4906DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC	تحقيق
SI4904DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC	تحقيق
SP8M7TB	Rohm Semiconductor	MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC	تحقيق
SI7958DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8	تحقيق
DMT3020LFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020	تحقيق
CSD87350Q5D	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON	تحقيق
BUK9K17-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK	تحقيق
SI4900DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC	تحقيق
SI4900DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC	تحقيق
ZXMN6A09DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC	تحقيق
SI4963BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC	تحقيق
SI4909DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO	تحقيق
SI4906DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار