SI4936CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

رقم القطعة:: SI4936CDY-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 18066 Pieces

ورقة البيانات:: SI4936CDY-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4936CDY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4936CDY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI4936CDY-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	3V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	40 mOhm @ 5A, 10V
السلطة - ماكس:	2.3W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	SI4936CDY-T1-GE3-ND SI4936CDY-T1-GE3TR SI4936CDYT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	15 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI4936CDY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	325pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	9nC @ 10V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	5.8A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI4936CDY-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI4936CDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO	تحقيق
SI4931DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC	تحقيق
CSD87335Q3DT	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 25A	تحقيق
MMDF3N04HDR2	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC	تحقيق
SI4936ADY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC	تحقيق
SI4936BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC	تحقيق
SI4936BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC	تحقيق
SI4933DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC	تحقيق
SI4932DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC	تحقيق
SI7994DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8	تحقيق
SI4933DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC	تحقيق
SI4931DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC	تحقيق
SI4936ADY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC	تحقيق
APTM50AM25FTG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار