يشترى SI5403DC-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 1206-8 ChipFET™ |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 7.2A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
اسماء اخرى: | SI5403DC-T1-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI5403DC-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1340pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 42nC @ 10V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |