يشترى SI5509DC-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
---|---|
تجار الأجهزة حزمة: | 1206-8 ChipFET™ |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
السلطة - ماكس: | 4.5W |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
اسماء اخرى: | SI5509DC-T1-E3TR SI5509DCT1E3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI5509DC-T1-E3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 455pF @ 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.6nC @ 5V |
نوع FET: | N and P-Channel |
FET الميزة: | Logic Level Gate |
وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.1A, 4.8A |
Email: | [email protected] |