يشترى SI5857DU-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® ChipFet Dual |
سلسلة: | LITTLE FOOT® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI5857DU-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 480pF @ 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | Schottky Diode (Isolated) |
وصف موسع: | P-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |