SI5920DC-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI5920DC-T1-GE3

SI5920DC-T1-GE3

رقم القطعة:: SI5920DC-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 12304 Pieces

ورقة البيانات:: SI5920DC-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5920DC-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5920DC-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI5920DC-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	1206-8 ChipFET™
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
السلطة - ماكس:	3.12W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SMD, Flat Lead
اسماء اخرى:	SI5920DC-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI5920DC-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	680pF @ 4V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	12nC @ 5V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	8V
وصف:	MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	4A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI5920DC-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NTMD2P01R2G	ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC	تحقيق
PHKD13N03LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC	تحقيق
NTMD4N03R2G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC	تحقيق
NTUD3170NZT5G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963	تحقيق
SI5920DC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8	تحقيق
FDC6302P	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6	تحقيق
SI4830ADY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC	تحقيق
SI1024X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6	تحقيق
NDS9948	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC	تحقيق
FMM75-01F	IXYS	MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5	تحقيق
SI5922DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET	تحقيق
SI5980DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET	تحقيق
SI4923DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC	تحقيق
DMS3017SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO	تحقيق
MP6M11TCR	Rohm Semiconductor	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6	تحقيق
EPC2103ENGRT	EPC	TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V	تحقيق
CSD87312Q3E	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON	تحقيق
UPA2672T1R-E2-AX	Renesas Electronics America	MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار