يشترى SI5947DU-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI5947DU-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI5947DU-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16511 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI5947DU-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5947DU-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5947DU-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 10.4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| اسماء اخرى: | SI5947DU-T1-E3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI5947DU-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 480pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI5947DU-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF5810 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP | تحقيق |
 |
SI5944DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK | تحقيق |
|
SI5947DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI5943DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK | تحقيق |
 |
FDMS8095AC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56 | تحقيق |
 |
VWM200-01P | IXYS | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 | تحقيق |
 |
SI3585DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | تحقيق |
|
SI5943DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK | تحقيق |
|
SI5944DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK | تحقيق |
|
VHM40-06P1 | IXYS | MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
SI5948DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V CHIPFET | تحقيق |
 |
SI4804CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog