يشترى SI6443DQ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 8.8A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.05W (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
اسماء اخرى: | SI6443DQ-T1-GE3TR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI6443DQ-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 5V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | P-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |