يشترى SI6973DQ-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI6973DQ-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI6973DQ-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19193 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI6973DQ-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI6973DQ-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI6973DQ-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 450mV @ 250µA (Min) |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 830mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI6973DQ-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI6973DQ-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLLD4901NFTWG | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 | تحقيق |
 |
SI6973DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP | تحقيق |
 |
UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor | 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | تحقيق |
 |
DMC1028UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN | تحقيق |
 |
FDMB3800N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET | تحقيق |
|
SI6975DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | تحقيق |
 |
IRF7306TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
STL8DN10LF3 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 | تحقيق |
 |
SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 | تحقيق |
 |
NTLJD3183CZTAG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | تحقيق |
 |
FDS6910 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | تحقيق |
|
SI6975DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog