SI7117DN-T1-GE3
SI7117DN-T1-GE3
رقم القطعة:
SI7117DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12524 Pieces
ورقة البيانات:
SI7117DN-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7117DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7117DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7117DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 1212-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.2 Ohm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® 1212-8
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI7117DN-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:510pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 150V 2.17A (Tc) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف:MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.17A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات