يشترى SI7214DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI7214DN-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI7214DN-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12444 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI7214DN-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7214DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7214DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 6.4A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.3W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI7214DN-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI7214DN-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EFC6617R-A-TF | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP | تحقيق |
 |
FDS9934C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC | تحقيق |
 |
CSD87501LT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR | تحقيق |
 |
JAN2N7334 | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | تحقيق |
 |
SI7214DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 | تحقيق |
|
SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | تحقيق |
 |
2N7002V-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 | تحقيق |
|
SI7216DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
EMH2407-S-TL-HX | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 | تحقيق |
 |
SI4830ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDMA3023PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6 | تحقيق |
 |
IRF9956PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 | تحقيق |
|
SI7216DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8 | تحقيق |
|
SI7212DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 | تحقيق |
 |
SI3981DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | تحقيق |
|
SI7218DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog