العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3
رقم القطعة:
SI7308DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17211 Pieces
ورقة البيانات:
SI7308DN-T1-GE3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7308DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7308DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7308DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 1212-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:58 mOhm @ 5.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:PowerPAK® 1212-8
اسماء اخرى:SI7308DN-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI7308DN-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:665pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSI7308DN-T1-GE3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SI7308DN-T1-E3 Image SI7308DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 تحقيق
IRF7402PBF Image IRF7402PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC تحقيق
IXTA220N055T7 Image IXTA220N055T7 IXYS MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7 تحقيق
IXFR30N50Q Image IXFR30N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 تحقيق
STI270N4F3 Image STI270N4F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK تحقيق
IXFN90N85X Image IXFN90N85X IXYS 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P تحقيق
SI7309DN-T1-GE3 Image SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK تحقيق
SI7302DN-T1-GE3 Image SI7302DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 تحقيق
NTLUS4930NTAG Image NTLUS4930NTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6 تحقيق
IPB60R600C6 Image IPB60R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263 تحقيق
FQPF16N15 Image FQPF16N15 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F تحقيق
AOT9N70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 700V 9A TO220 تحقيق
IRFIBC40GLC Image IRFIBC40GLC Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP تحقيق
IRF9510L Image IRF9510L Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 4A TO-262 تحقيق
SI7302DN-T1-E3 Image SI7302DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 تحقيق
SI9435BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC تحقيق
IRF510STRL Image IRF510STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK تحقيق
SI7309DN-T1-E3 Image SI7309DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 تحقيق

Latest الأخبار