SI7411DN-T1-GE3
SI7411DN-T1-GE3
رقم القطعة:
SI7411DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15943 Pieces
ورقة البيانات:
SI7411DN-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7411DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7411DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7411DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 300µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 1212-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:19 mOhm @ 11.4A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.5W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® 1212-8
اسماء اخرى:SI7411DN-T1-GE3TR
SI7411DNT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI7411DN-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:41nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 7.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7.5A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات