يشترى SI7425DN-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI7425DN-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI7425DN-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18341 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI7425DN-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7425DN-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7425DN-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 300µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® 1212-8 |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 12.6A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.5W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® 1212-8 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI7425DN-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 12V 8.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف: | MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI7425DN-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7425DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8 | تحقيق |
|
SI7423DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
FDB28N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK | تحقيق |
 |
FDC606P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6 | تحقيق |
|
SI7421DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
AUIRFZ44VZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK | تحقيق |
|
SI7421DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8 | تحقيق |
 |
QS5U12TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 | تحقيق |
 |
CSD17585F5T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR | تحقيق |
 |
NTK3134NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 | تحقيق |
|
CSD22204W | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 5A | تحقيق |
 |
NTMFS4837NHT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL | تحقيق |
 |
IXTT16N20D2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 | تحقيق |
 |
R6004CNDTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A CPT | تحقيق |
 |
APTM120UM70DAG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 | تحقيق |
 |
FQ7N10 | Fairchild/Micross Components | DIE MOSFET N-CH 100V | تحقيق |
|
SI7423DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8 | تحقيق |
 |
IRF7233TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog