يشترى SI7460DP-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.6 mOhm @ 18A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.9W (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 |
اسماء اخرى: | Q5555889 SI7460DP-T1-E3-ND SI7460DP-T1-E3TR SI7460DPT1E3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI7460DP-T1-E3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 100nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 60V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
وصف: | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
Email: | [email protected] |