يشترى SI7540DP-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI7540DP-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI7540DP-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17352 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI7540DP-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7540DP-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7540DP-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| اسماء اخرى: | SI7540DP-T1-E3TR SI7540DPT1E3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI7540DP-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.6A, 5.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI7540DP-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60VDAM24T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | تحقيق |
 |
TT8J13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 | تحقيق |
 |
VEC2616-TL-W-Z | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | تحقيق |
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
SI7540ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH POWERPAK8 | تحقيق |
|
SI7540DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
TPC8221-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP | تحقيق |
 |
SI4501ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | تحقيق |
|
APTM100TA35SCTPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P | تحقيق |
 |
FDJ1028N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75 | تحقيق |
 |
SI9936DY | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI6955ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
SI7904DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog