SI7858BDP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

رقم القطعة:: SI7858BDP-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14085 Pieces

ورقة البيانات:: SI7858BDP-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7858BDP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7858BDP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI7858BDP-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
فغس (ماكس):	±8V
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SO-8
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):	5W (Ta), 48W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® SO-8
اسماء اخرى:	SI7858BDP-T1-GE3TR SI7858BDPT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI7858BDP-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	5760pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	84nC @ 4.5V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	N-Channel 12V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):	1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	12V
وصف:	MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	40A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI7858BDP-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI7852ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8	تحقيق
SI7852DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8	تحقيق
STL3N80K5	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT	تحقيق
SI7852ADP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8	تحقيق
SI7856ADP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8	تحقيق
PHP28NQ15T,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB	تحقيق
IRL640STRL	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK	تحقيق
CSD18511Q5AT	Texas Instruments	40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF	تحقيق
SI7852DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8	تحقيق
SI7858ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8	تحقيق
SQ2310ES-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 6A SOT23	تحقيق
SI7858ADP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8	تحقيق
SI7850DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8	تحقيق
IRLL014TR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223	تحقيق
FCPF20N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 20A TO220F	تحقيق
SI7856ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8	تحقيق
APT1204R7BFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247	تحقيق
SI7850DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار