SI7888DP-T1-E3
SI7888DP-T1-E3
رقم القطعة:
SI7888DP-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17784 Pieces
ورقة البيانات:
SI7888DP-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7888DP-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7888DP-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7888DP-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12 mOhm @ 12.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.8W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI7888DP-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:10.5nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9.4A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات