يشترى SI7956DP-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI7956DP-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI7956DP-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14971 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI7956DP-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7956DP-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7956DP-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| اسماء اخرى: | SI7956DP-T1-E3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI7956DP-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 26nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI7956DP-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7956DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
ALD114904APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
 |
NTMD5836NLR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL | تحقيق |
 |
NDS9943 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC | تحقيق |
 |
APTM50DSKM65T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 | تحقيق |
 |
SLA5064 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP | تحقيق |
|
NTMD2C02R2 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC | تحقيق |
|
APTM50AM19STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 | تحقيق |
 |
APTM120H29FG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 | تحقيق |
|
SI7958DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
SI4910DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF8513TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC | تحقيق |
|
SIF912EDZ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK | تحقيق |
|
IRF7331TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
CSD87381P | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB | تحقيق |
|
FW812-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP | تحقيق |
|
SI7958DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
IRF7306PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog