SI7962DP-T1-E3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

رقم القطعة:: SI7962DP-T1-E3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16465 Pieces

ورقة البيانات:: SI7962DP-T1-E3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7962DP-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7962DP-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI7962DP-T1-E3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	4.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SO-8 Dual
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	17 mOhm @ 11.1A, 10V
السلطة - ماكس:	1.4W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® SO-8 Dual
اسماء اخرى:	SI7962DP-T1-E3TR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI7962DP-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	70nC @ 10V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Standard
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	40V
وصف:	MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	7.1A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI7962DP-T1-E3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI4916DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC	تحقيق
SI7964DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8	تحقيق
IRF7509TR	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8	تحقيق
FD6M045N06	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15	تحقيق
ZXMN3G32DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	تحقيق
GMM3X160-0055X2-SMD	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD	تحقيق
GMM3X160-0055X2-SMDSAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD	تحقيق
FDW2501NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP	تحقيق
DMN601VK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563	تحقيق
FDMS3624S	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN	تحقيق
FDG6332C_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 20V SC70-6	تحقيق
CSD86311W1723	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA	تحقيق
SH8KA4TB	Rohm Semiconductor	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET	تحقيق
IRF7325TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC	تحقيق
CAS300M12BM2	Cree/Wolfspeed	MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE	تحقيق
IRF7901D1TR	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC	تحقيق
SI7960DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8	تحقيق
SI7960DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8	تحقيق
SI7964DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8	تحقيق
IRF7507PBF	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار