يشترى SI7972DP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.7V @ 250µA |
---|---|
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 18 mOhm @ 11A, 10V |
السلطة - ماكس: | 22W |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
اسماء اخرى: | SI7972DP-T1-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI7972DP-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1050pF @ 30V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11nC @ 4.5V |
نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
FET الميزة: | Standard |
وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 22W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
وصف: | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 8A SO8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |