يشترى SI9926BDY-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI9926BDY-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI9926BDY-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12999 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI9926BDY-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI9926BDY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI9926BDY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.14W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI9926BDY-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI9926BDY-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | تحقيق |
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDS4953 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRF7379 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
APTC60DDAM24T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | تحقيق |
 |
PMGD280UN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP | تحقيق |
|
NTJD4001NT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog