SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T1-GE3
رقم القطعة:
SIA413DJ-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15555 Pieces
ورقة البيانات:
SIA413DJ-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIA413DJ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIA413DJ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIA413DJ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):-
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SC-70-6 Single
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):3.5W (Ta), 19W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SC-70-6
اسماء اخرى:SIA413DJ-T1-GE3TR
SIA413DJT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIA413DJ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1800pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:57nC @ 8V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 12V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات