يشترى SIA427DJ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 800mV @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±5V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | PowerPAK® SC-70-6 |
اسماء اخرى: | SIA427DJ-T1-GE3TR SIA427DJT1GE3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SIA427DJ-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2300pF @ 4V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 50nC @ 5V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.2V, 4.5V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 8V |
وصف: | MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |