SIA461DJ-T1-GE3
SIA461DJ-T1-GE3
رقم القطعة:
SIA461DJ-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16717 Pieces
ورقة البيانات:
SIA461DJ-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIA461DJ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIA461DJ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIA461DJ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SC-70-6 Single
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SC-70-6
اسماء اخرى:SIA461DJ-T1-GE3TR
SIA461DJT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIA461DJ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1300pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:45nC @ 8V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 12A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات