SIB900EDK-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

رقم القطعة:: SIB900EDK-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14179 Pieces

ورقة البيانات:: SIB900EDK-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIB900EDK-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIB900EDK-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SIB900EDK-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® SC-75-6L Dual
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
السلطة - ماكس:	3.1W
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	PowerPAK® SC-75-6L Dual
اسماء اخرى:	SIB900EDK-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	15 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SIB900EDK-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	1.7nC @ 4.5V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	1.5A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSIB900EDK-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
FDY2000PZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F	تحقيق
NVMFD5873NLT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL	تحقيق
IRF6702M2DTR1PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET	تحقيق
DMN2041LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO	تحقيق
APTML202UM18R010T3AG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3	تحقيق
FDMS9600S	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56	تحقيق
SI1028X-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V SC89-6	تحقيق
UM6K31NTN	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6	تحقيق
IRF7757TR	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8	تحقيق
SI7960DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8	تحقيق
MCH6606-TL-E	ON Semiconductor	MOSFET PCH DUAL MCPH6	تحقيق
FDS4559_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO	تحقيق
SI4276DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC	تحقيق
APTC80AM75SCG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار