يشترى SIE874DF-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 10-PolarPAK® (L) |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | 10-PolarPAK® (L) |
اسماء اخرى: | SIE874DF-T1-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SIE874DF-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6200pF @ 10V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 145nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |