يشترى SIF902EDZ-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIF902EDZ-T1-E3
- رقم القطعة:
- SIF902EDZ-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13352 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIF902EDZ-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIF902EDZ-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIF902EDZ-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® (2x5) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.6W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® 2x5 |
| اسماء اخرى: | SIF902EDZ-T1-E3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIF902EDZ-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIF902EDZ-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSM120D12P2C005 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | تحقيق |
 |
STL8DN6LF3 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 | تحقيق |
 |
NDS9958 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SMA5118 | Sanken | MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP | تحقيق |
 |
IRF7750TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
APTC80DDA29T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI7222DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8 | تحقيق |
 |
NTUD3171PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 | تحقيق |
 |
SI7236DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO | تحقيق |
 |
NTZD3155CT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | تحقيق |
 |
BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 | تحقيق |
 |
CSD87351ZQ5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog