يشترى SIHB24N65EF-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIHB24N65EF-GE3
- رقم القطعة:
- SIHB24N65EF-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 24A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19858 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIHB24N65EF-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHB24N65EF-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHB24N65EF-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (D²Pak) |
| سلسلة: | E |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 156 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 250W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIHB24N65EF-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2774pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 122nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIHB24N65EF-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHB24N65E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
ZVN0545GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223 | تحقيق |
|
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263 | تحقيق |
|
SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | تحقيق |
 |
2N7002 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3 | تحقيق |
|
SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | تحقيق |
|
SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK | تحقيق |
|
SIHB21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK | تحقيق |
|
SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | تحقيق |
|
SIHB22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | تحقيق |
|
SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK | تحقيق |
|
SIHB22N60S-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | تحقيق |
|
SIHB22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | تحقيق |
|
SIHB20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog