SIHG24N65E-E3
SIHG24N65E-E3
رقم القطعة:
SIHG24N65E-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15468 Pieces
ورقة البيانات:
SIHG24N65E-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHG24N65E-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHG24N65E-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIHG24N65E-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AC
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:145 mOhm @ 12A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:SIHG24N65EE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:19 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIHG24N65E-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2740pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:122nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات