يشترى SIHP12N50E-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIHP12N50E-GE3
- رقم القطعة:
- SIHP12N50E-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16570 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIHP12N50E-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHP12N50E-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHP12N50E-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 114W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIHP12N50E-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 886pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 50nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIHP12N50E-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHP14N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB | تحقيق |
 |
SIHP12N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | تحقيق |
|
SIHP12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB | تحقيق |
|
SIHP16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB | تحقيق |
|
SIHP14N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | تحقيق |
|
SIHP14N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | تحقيق |
|
SIHP15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | تحقيق |
|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | تحقيق |
|
SIHP15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB | تحقيق |
|
SIHP18N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 18A TO220 | تحقيق |
|
SIHP17N60D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB | تحقيق |
|
SIHP12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB | تحقيق |
|
SIHP15N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB | تحقيق |
|
SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog